电动汽车市场持续加速发展，纯电动汽车（BEV）和插电式混合动力汽车（PHEV）的销量均呈现强劲增长。预计到2030年，电动汽车产量占比将实现两位数增长，达到45%左右，而2024年这一比例仅为20%。据外媒报道，英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）推出新一代产品，以满足市场对高压汽车IGBT芯片日益增长的需求。这些产品包括专为400 V和800 V系统设计的EDT3（Electric Drive Train, 3 rd generation，第三代电力传动系统）芯片，以及专为800 V系统量身定制的RC-IGBT芯片。这些器件可提升电力传动系统的性能，使其特别适用于汽车应用。

图片来源：英飞凌

EDT3和RC-IGBT裸片经过设计，可提供高质量和可靠的性能，使客户能够创建定制功率模块。新一代EDT3相较于EDT2取得了显著进步，在高负载下总损耗降低高达20%，同时保持低负载下的效率。这一成就得益于优化设计，最大限度地降低了芯片损耗并提高了最高结温，从而平衡了高负载性能和低负载效率。因此，采用EDT3芯片的电动汽车能够延长续航里程并降低能耗，从而提供更具可持续性且经济高效的驾驶体验。

“作为领先的IGBT技术供应商，英飞凌致力于提供卓越的性能和可靠性，”英飞凌科技汽车高压芯片和分立器件副总裁Robert Hermann表示。“凭借我们对创新和脱碳的坚定承诺，我们的EDT3解决方案能够帮助我们的客户在其应用中取得理想的效果。”

EDT3芯片组提供750 V和1200 V两个等级，可提供高输出电流，非常适合各种电动汽车的主逆变器应用，包括纯电动汽车、插电式混合动力汽车和增程式电动汽车（REEV）。其减小的芯片尺寸和优化的设计有助于创建更小的模块，从而降低系统总成本。此外，这些器件的最高虚拟结温为185℃，最大集电极-发射极额定电压高达750 V和1200 V，非常适合高性能应用，使汽车制造商能够设计更高效、更可靠的动力系统，从而延长续航里程并减少排放。

Leadrive创始人兼总经理Jie Shen博士表示：“作为Leadrive的主要IGBT芯片供应商和合作伙伴，英飞凌始终如一地为我们提供创新解决方案，带来系统级优势。最新的EDT3芯片优化了损耗和损耗分布，支持更高的工作温度，并提供多种金属化选项。这些特性不仅减少了每安培硅片面积，还加速了先进封装技术的普及。”

1200 V RC-IGBT通过将IGBT和二极管功能集成在单个芯片上，从而提升了性能，与单独的IGBT和二极管芯片组解决方案相比，可提供更高的电流密度。这一进步转化为系统成本效益，这归功于更高的电流密度、可扩展的芯片尺寸以及更少的组装工作量。

英飞凌最新的EDT3 IGBT芯片技术现已集成到HybridPACK™ Drive G2汽车功率模块中，为整个模块产品组合带来更强大的性能和功能。该模块在750 V和1200 V等级中提供高达250 kW的功率范围，并具有更高的易用性，以及诸如集成下一代相电流传感器和片上温度传感器等新功能，有助于降低系统成本。

所有芯片器件均提供定制的芯片布局，包括片上温度和电流传感器。此外，还可根据要求提供烧结、焊接和键合等金属化工艺。