4月17日，氮化镓（GaN）功率IC和碳化硅（SiC）技术公司纳微半导体（Navitas Semiconductor）宣布推出其最新的SiCPAK™功率模块。该模块采用环氧树脂灌封技术，并由专有的沟槽辅助平面SiC MOSFET技术驱动，经过严格设计和验证，适用于最严苛的大功率环境，优先考虑可靠性和高温性能。目标市场包括电动汽车直流快速充电器（DCFC）、工业电机驱动器、可中断电源（UPS）、太阳能逆变器和功率优化器、储能系统（ESS）、工业焊接和感应加热。

图片来源： 纳微半导体

全新1200V SiCPAK™功率模块产品组合采用先进的环氧树脂灌封技术，能够有效防止湿气侵入，从而耐受高湿度环境，并通过降低功率和温度变化导致的性能下降来实现稳定的热性能。

纳微电半导体的SiCPAK™模块在1000次循环热冲击测试（-40℃至 125℃）后，与传统的硅凝胶填充盒式模块相比，其热阻升高降低了5倍。此外，所有硅凝胶填充模块均未通过隔离测试，而SiCPAK™环氧树脂灌封模块则保持了可接受的隔离水平。

纳微电半导体GeneSiC™“沟槽辅助平面SiC MOSFET技术”依托其20余年的SiC创新领导力，提供业界领先的温度性能，损耗降低高达20%，工作温度更低，并具备卓越的稳定性，从而支持系统的长期可靠性。

“沟槽辅助平面”技术可实现极低的RDS(ON)上升（随温度），从而在更宽的工作范围内实现最低的功率损耗，并在高温在线工作下，RDS(ON)比竞产降低高达20%。此外，所有GeneSiC™ SiC MOSFET均拥有已公布的最高100%雪崩测试能力、高达30%的短路耐受能量以及紧密的阈值电压分布，便于并联。

1200V SiCPAK™功率模块内置NTC热敏电阻，提供4.6 mΩ至18.5 mΩ的额定阻值，适用于半桥、全桥和3L-T-NPC电路配置。这些产品与行业标准的压接模块引脚兼容。此外，还提供可选的预涂导热界面材料（TIM），以简化组装。