4月29日，英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）推出全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G2技术，旨在提升汽车和工业电源转换应用的系统效率和功率密度。CoolSiC MOSFET 750 V G2技术可提供精细化的产品组合，在25℃时的典型导通电阻(RDS(on))高达60 mΩ，适用于各种应用，包括车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、电动汽车辅助设备（xEV），以及电动汽车充电、太阳能逆变器、储能系统、电信和开关电源（SMPS）等工业应用。

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凭借4 mΩ和7 mΩ的超低RDS(on)值，该技术可在静态开关应用中表现出色，从而成为电子保险丝、高压电池断路开关、固态断路器和固态继电器等应用的理想选择。英飞凌创新的顶部冷却Q-DPAK封装具有业内最低的4 mΩ RDS(on)，旨在提供最佳的热性能和可靠性。

该技术还展现出优异的RDS(on) x QOSS和一流的RDS(on) x Qfr，有助于降低硬开关和软开关拓扑中的开关损耗，并在硬开关用户案例中实现卓越的效率。由于栅极电荷减少，该技术可实现更快的开关速度并降低栅极驱动损耗，从而提高高频应用中的效率。

此外，CoolSiC MOSFET 750 V G2兼具高阈值电压VGS(th)（典型值4.5 V，25℃时）和超低QGD/QGS比值，增强了对寄生导通（PTO）的鲁棒性。此外，该技术还扩展了栅极驱动能力，支持高达-7 V的静态栅极电压和高达-11 V的瞬态栅极电压。这种增强的电压容差为工程师提供了更大的设计裕度，并与市场上其他器件实现了最佳兼容性。

CoolSiC 750 V G2提供无与伦比的开关性能、卓越的易用性和卓越的可靠性，并严格遵循汽车级部件的AEC Q101标准和工业级部件的JEDEC标准。它能够实现更高效、更紧凑、更具成本效益的设计，以满足不断增长的市场需求，并彰显了其在安全关键型汽车应用中对可靠性和长寿命的承诺。