5月5日，为了赋能下一代固态配电系统，英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）推出全新CoolSiC™ JFET产品系列，扩展其碳化硅（SiC）产品组合。这些新器件具有极低的传导损耗、可靠的关断能力和极高的稳定性，是高级固态保护和配电的理想选择。CoolSiC JFET拥有强大的短路保护能力、线性模式下的热稳定性以及精确的过压控制，可在各种工业和汽车应用中实现可靠高效的系统性能，包括固态断路器（SSCB）、人工智能数据中心热插拔、电子熔断器（eFuses）、电机软启动器、工业安全继电器和汽车电池断路开关。

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英飞凌科技绿色工业电力部门总裁Peter Wawer博士表示：“凭借CoolSiC JFET，我们正致力于满足人们对更智能、更快速、更强大的配电系统日益增长的需求。这项应用驱动的功率半导体技术旨在为客户提供所需的工具，以应对这一快速发展领域中的复杂挑战。我们很荣幸推出实现一流RDS(ON)的器件，这为SiC性能树立了新标准，并重申了英飞凌在宽带隙技术领域的领导地位。”

第一代CoolSiC JFET具有超低导通电阻（RDS(ON)），最低仅为1.5 mΩ（750 V BDss）和2.3 mΩ（1200 V BDss），显著降低了导通损耗。体沟道优化的SiC JFET在短路和雪崩故障条件下具有极高的鲁棒性。这些器件采用Q-DPAK顶部冷却封装，支持轻松并联和可扩展的电流处理能力，从而能够构建紧凑型高功率系统，并提供灵活的布局和集成选项。它们在热应力、过载和故障条件下具有可预测的开关行为，可在连续运行中提供最高的长期可靠性。

为了应对严苛应用环境下的热性能和机械性能挑战，CoolSiC JFET采用英飞凌先进的.XT互连技术和扩散焊接工艺。这显著改善了工业电力系统典型的脉冲和周期性负载下的瞬态热阻抗和稳定性。这些器件经过固态功率开关实际工作条件下的测试和认证，并基于行业标准的Q-DPAK封装，可在工业和汽车应用中实现快速无缝的设计集成。