12月10日，英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）推出全新CoolSiC™ MOSFET 750V G2封装技术，旨在为汽车和工业电源转换应用提供最高的系统效率和功率密度。这项最新创新技术现已推出多种封装形式，包括Q-DPAK和D2PAK，其典型导通电阻（RDS(on)）在25°C下最高可达60 mΩ。

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此次产品组合扩展涵盖了适用于各种应用的产品，例如汽车行业的车载充电器和高低压直流-直流转换器，以及服务器和电信行业的开关电源，还有工业应用中的电动汽车充电基础设施。4 mΩ的超低导通电阻（RDS(on)）使其能够满足对静态开关性能要求极高的应用，例如电子熔断器、高压电池隔离开关、固态断路器和固态继电器。这种无与伦比的性能使设计人员能够创建更高效、更紧凑、更可靠的系统，满足最严苛的要求。

CoolSiC MOSFET 750 V G2技术的关键特性之一是其创新的顶部冷却Q-DPAK封装，可提供最佳的散热性能和可靠性。该封装专为轻松应对高功率应用而设计，使其成为寻求突破功率密度和效率极限的设计人员的理想之选。该技术还具有出色的RDS(on) x QOSS和一流的RDS(on) x Qfr，有助于降低硬开关和软开关拓扑中的开关损耗，并在硬开关应用场景中实现卓越的效率。

此外，CoolSiC MOSFET 750 V G2具有高阈值电压VGS(th)（典型值4.5 V，25°C）和超低QGD/QGS比值，从而增强了其抗寄生导通（PTO）的能力。此外，该技术还扩展了栅极驱动能力，支持高达7 V的静态栅极电压和高达11 V的瞬态栅极电压。这种增强的电压容差为工程师提供了更大的设计裕量，并使其与市场上其他器件具有最佳兼容性。

供货情况

CoolSiC MOSFET 750 V G2 Q-DPAK 4/7/20/33/40/50 mΩ和D2PAK 7/25/33/40/50/60 mΩ样品现已上市。