SST和UMC推出28nm SuperFlash® Gen 4汽车1级平台
据外媒报道,随着汽车行业对高性能车载控制器的需求不断增长,Microchip Technology Inc.旗下子公司Silicon Storage Technology®(SST®)与半导体代工厂联华电子(United Microelectronics,联电)宣布,双方已完成SST嵌入式SuperFlash® Gen 4(embedded SuperFlash® Gen 4,ESF4)的全面认证,并已在联电的28HPC 工艺平台上正式投产。该产品具备完整的汽车1级(automotive grade 1,AG1)性能。

图片来源: Microchip Technology
SST与联电紧密合作开发了ESF4,旨在为汽车控制器提供更强大的嵌入式非易失性存储器(eNVM)性能和可靠性,同时显著减少与其他代工厂28nm高介电常数/金属栅堆叠(HKMG)eFlash产品相比所需的额外掩模步骤,从而为客户带来成本优势和更高的生产效率。
“随着汽车行业需求的不断增长,开发人员需要能够提高效率、加快产品上市速度并满足严格行业标准的解决方案。为了满足这些需求,UMC和SST联合推出了一款强大的28nm AG1解决方案,现已准备好用于客户设计的生产。”Microchip 授权业务部门副总裁Mark Reiten表示,“UMC一直是SST和SuperFlash创新的重要合作伙伴,两家公司将继续携手应对快速变化的市场需求,并提供技术和经济上都领先的产品。”
“随着汽车行业快速向互联、自动驾驶和共享汽车方向发展,对高可靠性数据存储和大容量数据更新的需求持续增长。这推动了客户对SuperFlash扩展至28nm工艺的需求,”联电技术开发副总裁许志强表示。“通过与SST的紧密合作,我们成功推出了ESF4解决方案,该方案已完全集成到广泛应用的28HPC 平台中。这使得我们的客户能够利用我们产品组合中丰富的模型和IP来满足关键市场的需求,同时扩展到更先进的工艺节点。”
UMC 28HPC ESF4 AG1平台的SuperFlash关键性能和可靠性指标包括:
符合美国汽车电子协会(AEC) Q-100 1级标准,工作温度范围为-40°C至 150°C(Tj)
读取时间 < 12.5ns
超过10万次的耐久性循环
在125°C下数据保持时间超过10年
仅需1位ECC
32Mb宏在汽车级1级条件下通过认证:
零位故障(未应用ECC);峰值良率达到100%
随着交通运输行业对创新解决方案的需求日益增长,汽车控制器出货量持续快速增长。在控制器内部嵌入高性能、高可靠性的eNVM(非易失性存储器)用于代码和数据存储,对于有效服务于这一不断扩大的市场至关重要。SST基于UMC 28HPC AG1平台的ESF4解决方案旨在为寻求支持高容量控制器固件且需要空中下载(OTA)更新灵活性的客户提供支持。
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