Diodes推出超低VCE(sat) NPN和PNP双极晶体管 可最大限度地提高紧凑型汽车设计的功率密度和效率
12月17日,Diodes Incorporated(Diodes)宣布推出DXTN/P 78Q和80Q系列双极型晶体管,进一步扩展其符合汽车级标准的双极型晶体管产品组合。这些超低VCE(sat)的NPN和PNP晶体管具有业界领先的导通效率和散热性能,专为严苛的汽车电源开关和控制应用而优化。

图片来源: Diodes
这十二款高性能器件支持宽电压范围,适用于12V、24V和48V汽车系统。它们非常适合用于栅极驱动MOSFET和IGBT、电源线和负载开关、低压差(LDO)稳压、DC-DC转换以及驱动电机、螺线管、继电器和执行器。这些晶体管额定工作温度高达 175°C,并具有高静电放电防护能力(HBM 4kV,CDM 1kV),可在严苛的汽车环境中可靠运行。
这些器件采用超紧凑的PowerDI®3333-8封装(尺寸仅为3.3mm x 3.3mm),与传统的SOT223封装相比,PCB占用空间最多可减少75%,从而释放更多空间用于其他功能。底部的大型散热片实现了4.2°C/W的超低热阻(RθJL)。侧壁可镀层(SWP)特性提高了自动光学检测(AOI)的可视性,并增强了焊点强度。这有助于提高质量保证,减少人工检测,并支持高效可靠的生产制造。
这两个系列的BVCEO额定值均涵盖30V至100V,并具备强大的电流处理能力。DXTN/P 80Q系列为高要求设计提供了额外的裕量,连续额定电流高达10A,峰值脉冲电流可达20A。超低饱和电压(1A时仅为17mV)和低至12mΩ的导通电阻最大限度地降低了导通损耗,从而实现了更低的运行温度和更高的效率。与上一代产品相比,这有助于设计人员将导通损耗降低高达50%,从而减少发热量并简化散热管理。
DXTN/P 78Q系列的售价为0.19美元至0.21美元,DXTN/P 80Q系列的售价为0.20美元至0.22美元;两款产品均以6,000片为起订量。符合标准的DXTN/P 78和80系列也已上市,适用于工业和商业应用。
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