2026年1月28日，韩国8英寸纯晶圆代工厂SK Keyfoundry宣布推出第四代200V高压0.18微米BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺，并将与韩国国内及国外主要客户开展全面产品开发，目标是在年内实现量产。

图片来源：SK Keyfoundry

随着汽车电动化和人工智能（AI）数据中心的快速发展，市场对高压、高效功率半导体的需求也迅速增长。尤其值得一提的是，汽车电气架构正从12V系统向48V系统过渡，而人工智能服务器和数据中心的工作电压也从380V直流提升至高达800V直流，以最大限度地提高功率效率和密度。在此背景下，能够可靠地承受100V以上高压并实现高效功率控制的工艺技术的重要性前所未有地凸显。

SK Keyfoundry最新推出的第四代200V高压0.18微米BCD工艺，其比导通电阻（specific on-resistance，Rsp）和击穿电压（breakdown voltage，BVDSS）相较于之前的第三代工艺提高了20%以上，具备更高的功率效率和高温稳定性。此外，该工艺可针对不同工作电压优化低导通电阻器件，从而最大限度地减少芯片面积和功耗，进一步增强工艺的整体竞争力。

值得一提的是，该工艺提供了一种厚金属间电介质（Thick IMD）选项，可在采用BCD和高压MOSFET技术的高压大电流PMIC器件之间安全传输数字信号，同时阻隔不必要的高压和噪声。该工艺还支持多种嵌入式存储器选项，包括SRAM、ROM、MTP和OTP，以及用于精密电机控制的霍尔（Hall）传感器，进一步拓展了高压IC的设计灵活性。 

SK Keyfoundry的全新工艺可应用于多种产品的开发，包括高压电源管理和转换IC、电机驱动器、LED驱动器以及电源栅极驱动器。更重要的是，它符合严苛的汽车可靠性认证标准AEC-Q100 0级，因此可立即应用于即使在极端工作条件下也需要高可靠性的汽车电子元件中。

SK Keyfoundry首席执行官Derek D. Lee表示：“随着人工智能服务器和汽车电子系统对更高功率的需求不断增长，对100V以上BCD工艺的需求也迅速增加。但是，目前能够提供基于体硅的高压BCD工艺的代工厂数量有限，因此我们200V高压0.18微米BCD工艺的量产具有里程碑式的意义。我们将根据功率半导体市场不断变化的客户需求，持续推进工艺技术发展。”