KAIST攻克微型LED关键难题 为AR/VR设备实现逼真视觉效果
从电视、智能手表到迅速崛起的虚拟现实(VR)和增强现实(AR)设备,微型LED(micro-LED)作为一种新一代显示技术,其每个LED(比头发丝还细)都能独立发光。在全彩显示所需的三种原色——红、绿、蓝——中,高性能红色微型LED的实现一直被认为是最困难的。
据外媒报道,韩国科学技术院(KAIST)的研究人员成功展示了一种高效、超高分辨率的红色微型LED显示器,为能够呈现比现实更清晰的视觉效果的显示器铺平了道路。该研究成果发表在期刊《Nature Electronics》上。

图片来源: KAIST
该研究团队由KAIST电气工程学院Sanghyeon Kim教授领导,联合仁荷大学(Inha University)Dae-Myeong Geum教授、化合物半导体制造商QSI以及微显示器/SoC设计公司Raontech组成。研究人员共同开发出一种红色微型LED显示技术,该技术在显著降低功耗的同时,实现了超高分辨率。
利用这项技术,该团队成功演示了一款1700 PPI(每英寸像素)级的超高分辨率微型LED显示屏——其分辨率约为目前旗舰智能手机显示屏的3-4倍——即使在VR和AR设备上,也能呈现真正“逼真”的视觉效果。
微型LED是一种自发光显示器,其亮度、寿命和能效均优于OLED,但面临两大技术挑战。
首先是红色微型LED的效率下降问题,随着像素尺寸的缩小,能量泄漏增加,效率下降尤为严重。其次是传统转移工艺的局限性,该工艺依赖于机械方式逐个定位和放置无数个微型LED,这使得超高分辨率制造变得困难,并增加了缺陷率。
研究团队同时解决了这两个挑战。首先,他们采用AlInP/GaInP量子阱结构,即使在像素尺寸非常小的情况下,也能实现高效且能量损耗极低的红色微型LED。
简而言之,量子阱/势垒结构起到“能量势垒”的作用。它将电子和空穴限制在量子阱层内,防止载流子泄漏。通过采用空穴浓度更高的量子阱,研究团队有效地降低了像素尺寸减小时的能量损耗,从而实现了亮度更高、效率更高的红色微型LED。

图片来源: KAIST
此外,研究人员并未采用逐个转移LED的方式,而是采用了一种单片三维(3D)集成技术,将LED层直接堆叠在驱动电路之上。这种方法最大限度地减少了对准误差,降低了缺陷率,并实现了超高分辨率显示器的稳定制造。该团队还开发了一种低温工艺,以防止集成过程中对底层电路造成损坏。
这项成果意义非凡,因为它展示了一种功能齐全、超高分辨率且量子效率极高的红色微型LED显示器,而这种显示器被广泛认为是实现难度最大的组件。该技术有望在下一代显示器领域得到广泛应用,尤其是在像素粒度必须几乎无法察觉的情况下,例如AR/VR智能眼镜、汽车抬头显示器(HUD)和超紧凑型可穿戴设备。
Sanghyeon Kim教授评论道:“这项研究同时解决了微型LED中红色像素效率和电路集成方面长期存在的难题。我们将继续推进这项技术,使其最终成为下一代显示平台并实现商业化应用。”
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